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                產(chǎn)品中心

                當(dāng)前位置:首頁(yè)  -  產(chǎn)品中心  -  光譜儀器  -  探測(cè)器標(biāo)定

                銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列
                產(chǎn)品簡(jiǎn)介

                常溫型銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)
                ——室溫型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8-1.7μm(2.6μm)
                ● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件;
                ● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件;

                產(chǎn)品型號(hào):DInGaAs系列
                更新時(shí)間:2024-05-20
                廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
                訪問量:4635
                詳細(xì)介紹在線留言

                常溫型銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)

                ——室溫型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8-1.7μm(2.6μm)
                ● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件;
                ● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件;
                ● DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件;
                ● DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件;
                ● DInGaAs2600型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
                 
                型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo):
                型號(hào)/參數(shù)
                DInGaAs1600
                DInGaAs1650
                DInGaAs1700-R03M
                DInGaAs1700
                DInGaAs2600
                光敏面直徑(mm)
                1.5
                5
                3
                5
                3
                波長(zhǎng)范圍(nm)
                900-1600
                900-1650
                800-1700
                800-1700
                800-2600
                峰值響應(yīng)度(A/W,  小)
                0.85
                0.85
                0.9
                0.95
                1.1
                暗電流(nA,  大)
                0.1
                200
                100
                10μA
                1mA
                D*(典型值)
                -
                -
                2.3×1012
                9.6×1011
                4.1×1010
                NEP(典型值)
                -
                -
                1.2×10-13
                2.8×10-13
                6.5×10-12
                阻抗(MΩ)
                30
                1
                1.5
                50kΩ
                320Ω
                電容(pF)
                80
                1500
                800
                -
                9000
                響應(yīng)時(shí)間(ns)
                8
                160
                100
                300
                1μs
                信號(hào)輸出模式
                電流
                電流
                電流
                電流
                電流
                輸出信號(hào)性
                正(P)
                正(P)
                正(P)
                正(P)
                 

                ■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)
                ——TE制冷型近紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:0.8-2.6μm
                       TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì),其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件,光譜響應(yīng)曲線參考圖如下:
                型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo):
                 
                 型號(hào)/參數(shù)
                DInGaAs1700-TE
                DInGaAs1900-TE
                DInGaAs2200-TE
                DInGaAs2400-TE
                DInGaAs2600-TE
                光敏面直徑(mm)
                3
                3
                3
                3
                3
                波長(zhǎng)范圍(nm)
                800-1700
                800-1900
                800-2200
                800-2400
                800-2600
                峰值響應(yīng)度(A/W)
                0.9
                1
                1.1
                1.15
                1.2
                D*(典型值)
                8.4×1013
                9.1×1012
                1.9×1012
                9.6×1011
                4.9×1011
                NEP(典型值)
                3.2×10-15
                2.9×10-14
                1.4×10-13
                2.8×10-13
                5.5×10-13
                溫控器型號(hào)
                ZTC
                ZTC
                ZTC
                ZTC
                ZTC
                探測(cè)器溫度(℃)
                -40
                -40
                -40
                -40
                -40
                溫度穩(wěn)定度(℃)
                ±0.5
                ±0.5
                ±0.5
                ±0.5
                ±0.5
                環(huán)境溫度(℃)
                +10~+40
                +10~+40
                +10~+40
                +10~+40
                +10~+40
                信號(hào)輸出模式
                電流
                電流
                電流
                電流
                電流
                輸出信號(hào)性
                正(P)
                正(P)
                正(P)
                正(P)
                正(P)
                備注
                制冷模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC)
                推薦使用前置放大器型號(hào):ZPA-7
                銦鎵砷探測(cè)器使用建議:
                ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7(Page85)做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
                ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度;
                ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
                ● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè),在制冷模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC)進(jìn)行降溫控制;
                 

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